Technologia i strukturyzacja materiałów półprzewodnikowych
Informacje ogólne
| Kod przedmiotu: | 1101-5FS13 |
| Kod Erasmus / ISCED: |
13.205
|
| Nazwa przedmiotu: | Technologia i strukturyzacja materiałów półprzewodnikowych |
| Jednostka: | Wydział Fizyki |
| Grupy: |
Fizyka, II stopień; przedmioty sp. Fizyka materii skondensowanej i nanostruktur półprzewodnikowych Nanoinzynieria; przedmioty do wyboru Przedmioty do wyboru dla doktorantów; |
| Strona przedmiotu: | http://www.fuw.edu.pl/~wmpac/dydaktyka/dydaktyka.htm |
| Punkty ECTS i inne: |
3.00
|
| Język prowadzenia: | polski |
| Kierunek podstawowy MISMaP: | fizyka |
| Założenia (opisowo): | Celem jest kształcenie wysokiej klasy specjalistów, fizyków, potrafiących badać doświadczalnie i interpretować zjawiska fizyczne zachodzące w półprzewodnikach, strukturach półprzewodnikowych i innych układach wykorzystujących elementy wytwarzane na bazie materii skondensowanej. |
| Tryb prowadzenia: | w sali |
| Skrócony opis: |
Wykład na temat technologii stosowanych do wytwarzania materiałów, struktur oraz urządzeń półprzewodnikowych. Omówione zostaną techniki wzrostu kryształów, techniki trawienia, a także techniki charakteryzacji mikro i nanostruktur. |
| Pełny opis: |
Przemysł półprzewodnikowy - narodziny i stan obecny Wzrost kryształów objętościowych z roztopu, roztworu, fazy gazowej Domieszkowanie, segregacja domieszek Wzrost para-ciecz-kryształ (VLS), wzrost nanodrutów. Epitaksja z fazy ciekłej i gazowej, z wiązek molekularnych Struktury epitaksjalne: zwierciadła Bragga, mikrownęki, struktury niskowymiarowe (studnie kwantowe, kropki kwantowe), dichalkogenki metali przejściowych. Inżynieria przerwy energetycznej i naprężęń. Złącza p-i-n, tranzystory Metody charakteryzacji rosnących kryształów (in-situ): dyfrakcja elektronów (RHEED), odbicie światła, Metody charakteryzacji kryształów po wzroście (ex-situ): dyfrakcja rentgenowska, mikroskopia, spektroskopia optyczna, pomiary transportu elektronowego, efekt Halla. Strukturyzacja w skali mikro i nano. Wytwarzanie struktur fotonicznych. |
| Literatura: |
1. Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”, PWN 1999 (druk na żądanie) 2. P.Y. Yu, M. Cardona, „Fundamentals of Semiconductors”, 3rd edition, Springer 2001 |
| Efekty uczenia się: |
Zapoznanie się z szerokim zakresem metod wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych o różnej wymiarowości. Przygotowanie do pracy w laboratoriach typu "clean room" (o podwyższonej czystości). |
| Metody i kryteria oceniania: |
W trakcie semestru studenci przedstawiają projekt autorskiej nanostruktury, której nie ma jeszcze na świecie. Komentują jej potencjalne cechy i argumenty za realizacją takiej nanostruktury. Na koniec semestru studenci piszą test, rozwiązują zadania i przystępują do egzaminu ustnego w oparciu o ogłoszoną wcześniej listę pytań. |
| Praktyki zawodowe: |
Studenci mają możliwość odwiedzenia laboratoriów o których jest mowa w wykładzie. Mogą także wziąć udział w procesie wzrostu kryształów metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). |
Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2024/25" (zakończony)
| Okres: | 2024-10-01 - 2025-01-26 |
Przejdź do planu
PN WT ŚR WYK
CZ PT |
| Typ zajęć: |
Wykład, 30 godzin
|
|
| Koordynatorzy: | Wojciech Pacuski | |
| Prowadzący grup: | Wojciech Pacuski | |
| Lista studentów: | (nie masz dostępu) | |
| Zaliczenie: | Egzamin |
Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2025/26" (w trakcie)
| Okres: | 2025-10-01 - 2026-01-25 |
Przejdź do planu
PN WT ŚR WYK
CZ PT |
| Typ zajęć: |
Wykład, 30 godzin
|
|
| Koordynatorzy: | Wojciech Pacuski | |
| Prowadzący grup: | Wojciech Pacuski | |
| Lista studentów: | (nie masz dostępu) | |
| Zaliczenie: | Egzamin |
Właścicielem praw autorskich jest Uniwersytet Warszawski, Wydział Chemii.
